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I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.4 Recommended Operating
Conditions
CPC9909
Parameter
Input Voltage Range
PWMD Frequency
Operating Temperature
Symbol
V I N
f PWMD
T A
Minimum
12
-
-40
Typical
-
500
-
Maximum
550
-
+85
Unit
V DC
Hz
°C
1.5 Electrical Characteristics
Unless otherwise specified, all electrical specifications are provided for T A =25 ? C.
Parameter
Conditions
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Input
Input Voltage Range
Shut-Down Mode Supply Current
DC Input Voltage
V I N =8 to 550V, PWMD to GND
V IN
I IN
8
-
-
0.3
550
0.6
V DC
mA
Regulator
Voltage Regulator Output
V DD Current Available
for External Circuitry
V DD Load Regulation
V I N =15V to 550V, I DD =0, I GATE =0
-
V I N =15V, I DD =1mA
V DD
I DD
? V DD
7
-
-
7.8
-
150
8.4
2
200
V DC
mA
mV
PWM Dimming
PWMD Input Low Voltage
PWMD Input High Voltage
PWMD Pull-Down Resistance
V I N =8V to 550V
V I N =8V to 550V
-
V PWMD(low)
V PWMD(high)
R PWMD
-
2.4
80
-
-
115
0.5
-
150
V
k ?
Current Sense Comparator
Current Sense Input Current
Input Low
Input High
Current Sense Threshold Voltage
Current Sense Blanking Interval
Delay from CS Trip to Gate Low
CS=0V
CS=V DD
-40°C < T A < 85°C, V I N =15V to 550V
-55°C < T A < -40°C, V I N =15V to 550V
R T =400k ?
R T =400k ?
I IL
I IH
V CS(high)
t BLA N K
t DELAY
-5
-5
200
180
-
-
-
0
250
-
400
300
5
5
300
300
-
-
? A
mV
ns
ns
Minimum Off-Time One-Shot
Minimum Off-Time
R T =400k ?
t off
6
-
8
? s
Gate Driver
Gate High Output Voltage
Gate Low Output Voltage
Gate Output Rise Time
Gate Output Fall Time
I OUT =-10mA
I OUT =+10mA
C GATE =500pF
C GATE =500pF
V GATE(high)
V GATE(low)
t RISE
t FALL
V DD -0.3
-
-
-
V DD -0.06
0.03
16
7
-
0.3
-
-
V
ns
1.6 Thermal Characteristics
Parameter
Package
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Thermal Resistance,
Junction-to-Ambient
SOIC-8 With Thermal Pad (NE)
SOIC-8 W/O Thermal Pad (N)
1
R ? JA
-
-
50
128
-
-
°C/W
1
Use of a four-layer PCB can improve thermal dissipation (reference EIA/JEDEC JESD51-5).
R04
www.ixysic.com
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